Квартальное отчётное мероприятие Micron Technology на прошлой неделе позволило руководству американской компании поделиться более подробными планами по развитию ассортимента продукции. Если в 2026 году Micron приступит к производству микросхем памяти типа HBM4, то позднее собирается наладить выпуск HBM4E, главной особенностью которой станет кастомизируемый базовый кристалл.
Данная часть стека памяти лежит в его основе и содержит базовую логику, необходимую для работы с расположенными выше микросхемами памяти. Micron собирается наделять базовый кристалл HBM4E тем набором функций, который интересен конкретным крупным заказчикам. Насколько велика будет степень свободы Micron в этой сфере, заранее сказать сложно, но очевидно, что стандарты JEDEC будут определять какие-то рамки. Чисто технически Micron сможет добавлять поддержку новых интерфейсов, увеличивать объём кеша, добавлять шифрование данных и всё в таком духе.
Как подчеркнул глава Micron на прошлой неделе, «HBM4E обеспечит сдвиг парадигмы в бизнесе по производству памяти, поскольку предложит опцию кастомизации базового кристалла с логикой для определённых клиентов, используя передовой производственный процесс TSMC». По словам генерального директора Санджея Мехротры (Sanjay Mehrotra), подобные возможности индивидуализации улучшат финансовые показатели компании Micron.
Если же вернуться к более близкой HBM4, то непосредственно микросхемы памяти для стеков этого типа Micron намерена выпускать с помощью своего техпроцесса 10-нм класса пятого поколения (1β), тогда как конкурирующие SK hynix и Samsung присматриваются к более современной технологии 10-нм класса шестого поколения. Наличие 2048-разрядной шины позволит HBM4 обеспечить скорость передачи информации до 6,4 гигатранзакций в секунду. Массовое производство HBM4 компания рассчитывает развернуть в 2026 календарном году. Сейчас Micron уже активно поставляет 8-ярусные стеки HBM3E для ускорителей Nvidia Blackwell, 12-ярусные проходят тестирование клиентами и получают самые лестные отзывы, по словам руководства компании.